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CT : L’équipe « surfaces et interfaces » du laboratoire LASMEA (unité mixte de l’université B. Pascal et du CNRS) s’intéresse à la structuration de la surface d’un semi-conducteur prometteur : l’arséniure de gallium (GaAs). Ce matériau, qui est largement utilisé dans les dispositifs électroniques où la qualité des surfaces et des interfaces est primordiale, montre une haute réactivité envers l’environnement extérieur, ce qui réduit considérablement les possibilités d’utilisation de ce matériau. Pour remédier à cela, la nitruration apparaît comme l’un des procédés les plus prometteurs pour la passivation chimique et électronique de ces surfaces. Cette méthode porte sur le traitement de la surface du GaAs en faisant appel à un plasma azoté dans le but de déposer des couches contrôlées de nitrure de gallium (GaN) qui présentent une très grande stabilité chimique.
S : http://www.auvergnesciences.com/blog/2011/11/22/112011-vers-une-meilleure-utilisation-des-dispositifs-electroniques-a-base-de-semi-conducteur-gaas/ (consulté le 30.01.2015)
N : 1. XXe siècle. Dérivé de passif. CHIM. Traitement qui consiste à provoquer la formation, à la surface d’un métal, d’une couche de sel ou d’oxyde le protégeant de la corrosion.
2. Électronique > Fabrication des microcircuits. Action de protéger le circuit contre l’environnement extérieur avant de l’encapsuler.
3. Électronique. Passage au four d’un support (de circuit intégré) en silicium, dont l’objet est de faire se recouvrir la surface de ce dernier d’une couche d’oxyde de silicium qui ne se laissera pas traverser par la vapeur dopante au cours d’un processus de dopage par diffusion.
4. Les polyimides (PI) sont généralement utilisés comme matériau isolant électrique (~10 µm d’épaisseur) pour la passivation des composants à semi-conducteur de l’électronique de puissance.
S : 1. DAF. 2 et 3. GDT. 4. http://www.seedsresearch.eu/documents/10548/104881/prix%20fondamental (consulté le 22.01.2014).
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