CG: nf
CA: Electrónica; Fuentes de energía renovables – Energía solar fotovoltaica; Conversión fotovoltaica.
CT: Dentro de las características de los semiconductores, además de tener una conductividad intermedia entre los conductores y los aislantes, se pueden citar las siguientes:
Debido al incremento de la concentración intrínseca la resistencia de los semiconductores disminuye con la temperatura, contrariamente a lo que pasa con la mayoría de los conductores.
Cuando un semiconductor se ilumina con fotones de energía mayor que la energía de su gap su conductividad se incrementa debido al aumento de electrones que llegan a la banda de conducción gracias a la energía que obtienen de los fotones.
Para explicar los fenómenos ligados a la conducción eléctrica de los semiconductores es necesario recurrir a la existencia de partículas positivas (huecos) y negativas (electrones). Mientras que en los conductores alcanza solamente con los electrones.
F: DLEF – http://dspace.unia.es/bitstream/handle/10334/90/0062_Galimberti.pdf?sequence=1 (consulta: 21.05.2014)
DEF: Número de electrones libres de un semiconductor que debe coincidir con el número de huecos. La concentración intrínseca de un semiconductor depende del ancho de su banda prohibida y de la temperatura absoluta.
F: DEE, p. 184.
N: Cuando en el silicio se introducen impurezas donadoras estas pueden perder el electrón fácilmente. Añadiendo un número de impurezas adecuado (mayor que la concentración intrínseca del conductor) es posible conseguir que el número de electrones en el semiconductor venga determinado por el número de impurezas y no por la concentración. Se dice que el semiconductor es extrínseco y, en este caso, de tipo n.
De forma análoga, cuando en el semiconductor se introducen impurezas aceptoras, estas capturan un electrón fácilmente lo que origina la aparición de un hueco en la red. De nuevo, introduciendo en el semiconductor un número de impurezas adecuado (mayor que la concentración intrínseca) puede conseguirse que el número de huecos venga determinado por el número de impurezas. El semiconductor tiene, de nuevo, carácter extrínseco pero en esta ocasión se dice que es de tipo p.
F: DCCT – http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/8237/Tdcv1de1.pdf;jsessionid=7599092455CD79162460958763E7D455.tdx2?sequence=11 (consulta: 17.10.2014)
SIN:
F:
IL: Concentración intrínseca.
F: UPV – http://personales.upv.es/jquiles/prffi/semi/ayuda/hlpni.htm (consulta: 17.10.2014)
